LED芯片知识-MB,GB,TS,AS芯片定义与特点
一、MB芯片定义与特点
定义﹕
MB芯片﹕MetalBonding(金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC的专利产品。
特点﹕
1:采用高散热係数的材料---Si作为衬底、散热容易。
2﹕通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3:导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热係数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。
4:底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5:尺寸可加大、应用于Highpower领域、eg:42milMB
二、GB芯片定义和特点
定义﹕
GB芯片﹕GlueBonding(粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC的专利产品
特点﹕
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS(Absorbablestructure)芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
2﹕芯片四面发光、具有出色的Pattern
3﹕亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准(8.6mil)
4﹕双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
三、TS芯片定义和特点
定义﹕
TS芯片﹕transparentstructure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP的专利产品。
特点﹕
1.芯片工艺制作复杂、远高于ASLED
2.信赖性卓越
3.透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高
4.应用广泛
四、AS芯片定义和特点
定义﹕
AS芯片﹕Absorbablestructure(吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力、台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大.
大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等
特点﹕
1.四元芯片、采用MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮
2.信赖性优良
3.应用广泛
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