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光电二极管光电流参数与入射光强度的关系

    光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。

    当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时,可以使PN结中产生电子一空穴对,使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移,使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。

    入射光的频率要大于极bai板的极限频率的前提下,当受直射光照射的极板电势高时:

光电流

    在E=hv=1/2mv^2=eu时光电流为零,所以此时不受影响,

    在E=hv=1/2mv^2>eu时光电流大小就与入射光的强度有关,因为入射光的强度越强,那么射到极板上的光子就越多,吸收光子发生光电效应的光电子就越多,从而光电流就越大,但最终达到饱和。

    在入射光的频率要大于极板的极限频率的前提下,当受入射光照射的极板电势低时:

    在光电流达到饱和之前,入射光的强度越强,光电流越大。

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0602冰蓝色灯珠EH-S270IBKT,侧面发光LED灯珠

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双接收贴片红外接收头HS838,亿毫安电子接收头

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0805冰蓝色灯珠EH-T171UBKT,亿毫安电子

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